动态随机存取存储器（ Dynamic Random Access Memory， DRAM）是一种 半导体 存储器，主要的作用原理是利用 电容内存储 电荷的多寡来代表一个 二进制 比特（bit）是1还是0。由于在现实中 晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（ SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。