1940年林兰英从
福建协和大学毕业后留校任教；1948年赴美留学，进入
宾夕法尼亚州的
迪金森学院数学系学习；1949年获得迪金森学院数学学士学位，同年进入宾夕法尼亚大学研究生院，进行固体物理的研究，先后获得硕士、博士学位；1955年博士毕业后，进入纽约
长岛的索菲尼亚公司任高级工程师进行半导体研究；1957年1月回到中国，并进入
中国科学院物理研究所工作；1960年中国科学院半导体研究所成立后，林兰英担任该所研究员；1980年当选为
中国科学院学部委员
；2003年3月4日在北京逝世，享年85岁。
林兰英主要从事半导体材料制备及物理的研究。在锗单晶、硅单晶、
砷化镓单晶和高纯锑化铟单晶的制备及性质等研究方面获得成果，其中砷化镓气相和液相外延单晶的纯度及
电子迁移率，均曾达到国际先进水平
。
